This study analyzes how active area affects CdS- and CdSe-based quantum dot sensitized solar cell photovoltaicperformance. The devices were built on FTO substrates utilizing the sequential ionic layer adsorption and reaction(SILAR) approach. This enabled regulated in-situ CdS and CdSe quantum dot formation on mesoporous TiO₂photoanodes. We systematically examined solar cells with active surfaces ranging from 0.04 to 1.0 cm². The resultsreveal that active area greatly affects Jsc (short-circuit current density) and PCE (power conversion efficiency). Devices with smaller regions operate better. This is owing to decreased resistive losses, charge recombination, andcarrier collecting efficiency at smaller /cales. The results demonstrate the need of optimizing device shape andquantum dot loading to increase QDSSC performance. The results provide significant insights for the massproduction of high-efficiency quantum dot-sensitized solar cells.